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电子元器件详细资料 » IC[25260] » MBT6429DW1T1
型号:MBT6429DW1T1类别:晶体管(BJT) - 阵列制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列
描述TRANS DUAL NPN 200MA 40V SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 NPN(双)
电流_集电极(Ic)111最大222200mA
电压_集电极发射极击穿111最大22245V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222600mV @ 5mA,100mA
电流_集电极截止111最大222100nA
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)500 @ 100µA,5V
功率_最大150mW
频率_转换700MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市中新永盛科技有限公司朱小姐0755-83242762 83211840
深圳市金亿泰电子有限公司郑086-755-83252273
深圳市能元时代电子有限公司甘先生0755-84502810
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市俊晖半导体有限公司李先生【原装正品,可开发票】13410941925
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MBT6429DW1T1相关型号

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